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深圳LED光源有什么特点 雷核驱动供

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联?#31561;耍?/td> 邵金勇  
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深圳LED光源有什么特点 雷核驱动供

LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-V特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在?#27426;?#26465;件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。

  LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-V特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在?#27426;?#26465;件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。

  假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光?#34892;?#25429;获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光?#34892;?这个?#34892;?#20171;于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,?#30475;問头?#30340;能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量?#26377;?#29575;越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

  理论和?#23548;?#35777;明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料带隙Eg有关,即 λ≈1240/Eg(mm)

  式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。



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